Επαναστατική νέα μορφή μνήμης

Τρίτη, 28 Ιουλίου 2015 20:16
UPD:20:16
IM FLASH
A- A A+

Σε παραγωγή τίθεται ένα νέο είδος τεχνολογίας μνήμης, που είναι 1.000 φορές ταχύτερη από τη Nand flash storage η οποία χρησιμοποιείται σε κάρτες μνήμης και solid state drives (SSD) υπολογιστών.

Όπως αναφέρεται σε δημοσίευμα του BBC, πρόκειται για το 3D Xpoint, εφεύρεση των Intel και Micron, και αναμένεται να «δει» μεγάλο εύρος εφαρμογών- από επιτάχυνση της επιστημονικής έρευνας μέχρι ηλεκτρονικά παιχνίδια. Καλώς εχόντων των πραγμάτων, τα πρώτα προϊόντα με 3D Xpoint αναμένεται να αρχίσουν να διατίθενται προς πώληση μέσα στο επόμενο έτος, ενώ δεν έχουν ανακοινθεί ακόμα τιμές.

Η Intel προωθει το 3D Xpoint ως το πρώτο νέο είδος «mainstream μνήμης» από το 1989. Αντί να το χαρακτηρίσει ως αντικαταστάτη του flash storage ή της RAM, εκτιμά ότι θα μπορεί να χρησιμοποιείται παράλληλα για να κρατούνται κάποια δεδομένα πιο «κοντά» στον επεξεργαστή, ούτως ώστε να είναι δυνατή η πρόσβαση πιο γρήγορα από ό,τι πριν.

Η ανάγκη για ταχύτερα μέσα από την flash προκύπτει σε μεγάλο βαθμό λόγω των αποκαλούμενων big data, που έχουν να κάνουν με ανάλυση τεράστιων όγκων δεδομένων για ερευνητικούς σκοπούς. Επίσης, θα άλλαζαν τα δεδομένα στην αποθήκευση στο cloud, ενώ αναμένεται τέτοιες εξελίξεις να βοηθήσουν πάρα πολύ στον χώρο των παιχνιδιών, καθώς θα είναι δυνατό το κατά πολύ ταχύτερο «φόρτωμα» νέων σημείων- με μεγαλύτερους, πιο ανοικτούς κόσμους και πιο ομαλές gaming εμπειρίες.

INTEL/MICRON

Το όνομα προκύπτει από τη δομή, η οποία είναι τρισδιάστατη και διαθέτει απανωτά στρώματα καλωδίων. Σε καθένα εξ αυτών, τα καλώδια είναι παράλληλα μεταξύ τους, αλλά σταυρωτά σε σχέση με αυτά από κάτω.

Μεταξύ κάθε στρώματος υπάρχουν κάθετες στήλες οι οποίες συνδέονται στα σημεία όπου διασταυρώνοντα τα καλώδια. Κάθε μία εξ αυτών περιέχει ένα memory cell, που αποθηκεύει ένα μεμονωμένο bit δεδομένων και ένας «επιλογέας», που επιτρέπει την ανάγνωση ή επανεγγραφή ενός μεμονωμένου memory cell. H πρόσβαση καθορίζεται από την τάση που λαμβάνεται μέσω των καλωδίων.

Το μεγάλο πλεονέκτημα έναντι της flash memory είναι ότι δεν υπάρχει η ανάγκη χρήσης ημιαγωγών που συναντάται στα Nand chips- τα οποία λειτουργούν μετακινώντας ηλεκτρόνια μπρος και πίσω σε απομονωμένα τμήματα των ημιαγωγών, γνωστά ως «επιπλέουσες πύλες» (floating gates), για να αναπαρίστανται τα 1 και 0 του δυαδικού κώδικα.

Ένα ζήτημα που υφίσταται με αυτή την τεχνική είναι ότι δεν είναι δυνατή η επανεγγραφή μεμονωμένων bits δεδομένων την ίδια στιγμή. Αντ'αυτού, μεγαλύτερα μπλοκ δεδομένων πρέπει να διαγραφούν και μετά να επανεγγραφούν για να ενσωματωθούν οι αλλαγές.

Προτεινόμενα για εσάς