Επί δεκαετίες κάθε γενικά τσιπ υπολογιστή γινόταν ταχύτερη και πιο ενεργειακά αποδοτική επειδή τα βασικά τους δομικά στοιχεία, τα τρανζίστορ, γίνονταν μικρότερα. Ο ρυθμός αυτής της βελτίωσης έχει επιβραδυνθεί κατά πολύ, ωστόσο η ΙΒΜ ανακοίνωσε την Πέμπτη πως υπάρχει ακόμα μία γενιά εξέλιξης στο πυρίτιο.
Όπως αναφέρει το Reuters, η IBM παρουσίασε αυτό που, όπως λέει, είναι η πρώτη τεχνολογία παραγωγής τσιπ των 2 νανομέτρων. Η τεχνολογία αυτή θα θα μπορούσε να είναι μέχρι και 45% ταχύτερη από τα καθιερωμένα τσιπ των 7 νανομέτρων σε πολλά από τα σημερινά laptops και τηλέφωνα και μέχρι 75% αποδοτικότερα ενεργειακά, σύμφωνα με την εταιρεία.
Η τεχνολογία αυτή κατά πάσα πιθανότητα θα χρειαστεί αρκετά χρόνια για να βγει στην αγορά. Η IBM, κάποτε μεγάλος παραγωγός τσιπ, πλέον κάνει outsourcing την μεγάλης κλίμακας παραγωγή της στη Samsung, μα διατηρεί ένα ερευνητικό κέντρο κατασκευής στο Όλμπανι της Νέας Υόρκης.
Τα τσιπ 2 νανομέτρων θα είναι μικρότερα και ταχύτερα από τα σημερινά τσιπ αιχμής των 5 νανομέτρων, που αρχίζουν τώρα να εμφανίζονται σε premium τηλέφωνα όπως το iPhone 12, και από τα τσιπ των 3 νανομέτρων που αναμένεται να έρθουν μετά από αυτά των 5 νανομέτρων.
Η τεχνολογία που παρουσίασε η ΙΒΜ είναι το βασικότερο δομικό κομμάτι ενός τσιπ: Ένα τρανζίστορ, που λειτουργεί ως διακόπτης για τα 1 και τα 0 και βρίσκεται στα θεμέλια των σύγχρονων υπολογιστών.
Το να γίνονται οι διακόπτες αυτοί πολύ μικροί τους καθιστά ταχύτερους και πιο αποδοτικούς ενεργειακά, μα επίσης δημιουργεί προβλήματα ως προς τη διαρροή ηλεκτρονίων όταν οι διακόπτες είναι κλειστοί. Ο Ντάριο Γκιλ, αντιπρόεδρος της εταιρείας και διευθυντής της ΙΒΜ Research είπε στο Reuters ότι επιστήμονες ήταν σε θέση να περάσουν φύλλα μονωτικού υλικού πάχους μόλις λίγων νανομέτρων για να σταματούν τις διαρροές.
