Την έναρξη μαζικής παραγωγής της πρώτης μνήμης flash (eUFS- embedded Universal Flash Storage) των 512 GB για χρήση σε φορητές συσκευές επόμενης γενιάς ανακοίνωσε η Samsung.
Την έναρξη μαζικής παραγωγής της πρώτης μνήμης flash (eUFS- embedded Universal Flash Storage) των 512 GB για χρήση σε φορητές συσκευές επόμενης γενιάς ανακοίνωσε η Samsung.
Χρησιμοποιώντας τα πιο νέα τσιπ NAND 64 στρωμάτων και 512 gigabit της εταιρείας, παρέχει «άνευ προηγουμένου αποθηκευτικές δυνατότητες και εκπληκτικές επιδόσεις για επερχόμενα smartphone και tablets- “ναυαρχίδες”» αναφέρεται στην ανακοίνωση της εταιρείας.
«Το νέο Samsung 512 GB eUFS παρέχει την καλύτερη δυνατή embedded λύση αποθήκευσης για premium smartphones επόμενης γενιάς, ξεπερνώντας τους πιθανούς περιορισμούς στις επιδόσεις συστημάτων που μπορεί να προκύπτουν μέσω της χρήσης καρτών micro SD» είπε ο Τζαεσού χαν, εκτελεστικός αντιπρόεδρος (Memory Sales & Marketing ) στη Samsung Electronics.
Όπως αναφέρει η εταιρεία, αποτελούμενο από οκτώ τσιπ V-NAND των 512 Gb των 64 στρωμάτων και ένα τσιπ ελέγχου, όλα στοιβαγμένα μαζί, το νέο 512 GB UFS διπλασιάζει την πυκνότητα του προηγούμενου V-NAND 48 στρωμάτων, 25 GB eUFS, χρησιμοποιώντας την ίδια έκταση χώρου. Το νέο eUFS επιτρέπει σε ένα smartphone να αποθηκεύσει περίπου 120 4Κ Ultra HD (3840x2160) βιντεοκλίπ των 10 λεπτών.